ISL12025
至+ 30ppm的甲范围从-30ppm可表示为
使用三个比特前面解释。
表4.数字微调寄存器
DTR注册
DTR2
0
0
0
0
1
1
1
1
DTR1
0
1
0
1
0
1
0
1
DTR0
0
0
1
1
0
0
1
1
估计频率
PPM
0
+10
+20
+30
0
-10
-20
-30
表5 。
VTS2
0
0
0
0
1
VTS1
0
0
1
1
0
VTS0
0
1
0
1
0
V
RESET
4.64V
4.38V
3.09V
2.92V
2.63V
唯一ID寄存器
有8个字节的寄存器，用于存储该设备的ID。
（地址0020H到0027h ） 。每个器件包含这些
字节提供编程和测试一个唯一的64位ID
在装运前的工厂。这些寄存器是只读
只，用于终端设备的串行化，并不能
更改或覆盖。
PWR注册： SBIB ， BSW ， VTS2 ， VTS1 ， VTS0
SBIB ：串行总线接口（使能）
串行总线可以通过禁用在电池备份模式
这个位设定为“1” 。这将最大限度地减少对电力消耗
电池。该串行接口可在电池中启用
通过设置此位备份模式为“0” （缺省为“0”） 。看
第14页上的“电源控制操作” 。
设备操作
写入数据到时钟/控制寄存器
改变任何时钟/控制寄存器的位
需要以下步骤：
1.写02H状态寄存器来设置写使能
锁存器（ WEL ） 。这是一个易失性的操作，所以不存在
写后延迟。 （操作之前有一个起点和
用止动端） 。
2.写06H到状态寄存器来设置两个注册
写使能锁存器（ RWEL ）和WEL位。这也是
一个动荡周期。在数据字节的零是必需的。
（动作的进行由起始和终止端） 。
写的所有8个字节到RTC的寄存器，或一个字节的
SR ，或1到5个字节的控制寄存器。这
序列始于一个起始位，需要一个从字节
“ 11011110 ”和CCR的内的地址和终止
一个停止位。在写EEPROM寄存器中的CCR
将启动一个非易失性写周期和最多需要20毫秒
来完成。在写RTC寄存器（ SRAM ）将需要
更短的循环时间（t =吨
BUF
） 。写入未定义区域
没有任何效果。该RWEL位被完成了复位
写入的CCR ，所以序列必须被重复以
再启动另一个变化CCR的内容。如果
序列不以任何理由完成（通过发送一个
不正确的比特数和发送的停止启动，而不是，
例如） RWEL位不被复位和设备
保持在激活模式。写全零的状态
寄存器复位了WEL和RWEL位。读
如前面任何一个操作之间发生的操作
不会中断寄存器的写操作。
BSW ：功率控制比特
的电源控制位， BSW ，确定的条件
V之间的切换
DD
和备用电池。有两种
选项。
选项1.标准：设置“ BSW = 0 ”
选项2.传统/默认模式：设置“ BSW = 1 ”
请参阅第14页上的“电源控制操作”的更多细节。
另请参阅“我
2
I2C通信在电池备份
LVR操作“的重要细节第23页。
VTS2 ， VTS1 ， VTS0 ： V
RESET
选位
该ISL12025出厂时默认的V
DD
门槛
(V
RESET
）每订购信息表。该寄存器
非易失性无保护，因此任何写入到这个
位置可以更改默认值从上标明
该程序包。如果不具有非易失性写改变，这
值不会超过正常的工作和存储改变
条件。然而， ISL12025具有四个（4）附加
可选择的水平，以适应客户的应用程序。级别是：
4.64V （默认） ， 4.38V ， 3.09V ， 2.92V和2.63V 。在V
RESET
选择是通过3位（ VTS2 ， VTS1和VTS0 ） 。见表5 。
护理应改变V时，应采取
RESET
SELECT
位。如果在V
RESET
电压选择比V高
DD
，然后
该设备将进入复位除非V
DD
增加时，
该设备将不再能够使用的通信
I
2
C总线。
报警操作
由于报警工程作为报警之间的比较
寄存器和RTC寄存器，它是理想的，用于通知主机
一个特定的时间事件的处理器，并触发某些动作
其结果。主机可以通过查询状态通知
寄存器（ SR ）报警位。这两种挥发性位（ AL1为
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FN6371.1
二〇〇六年十月十八日
