韩光
数据保持特性
(T
A
= T
OPR ，
V
CC
=5V)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
条件
CE =
Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CE≥
VCC
看到数据保存波形
0
5
民
2.0
典型值。
-
-
-
-
HMN4M8D
最大
5.5
20
-
单位
V
uA
ms
-
掉电/电周期
(T
A
= T
OPR ，
V
CC
=5V)
参数
V
CC
摆， 4.75 4.25V
V
CC
摆， 4.75到V
SO
V
CC
摆，V
SO
到V
PFD
（最大）
符号
t
PF
t
FS
t
PU
时间在此期间， SRAM
被写保护V后
CC
通过V
PFD
上电。
T
A
= 25℃
Vcc的延迟之后向下剧烈变化
以往V
PFD
之前， SRAM是
写保护。
条件
民
300
10
0
典型值。
-
-
-
最大
-
-
-
单位
芯片使能的恢复时间
数据保留时间在
没有V的
CC
t
CER
40
80
120
ms
t
DR
5
-
-
岁月
写保护时间
t
WPT
40
100
150
时序波形
- 读周期NO.1 （地址访问） *
1,2
t
RC
地址
t
加
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
数据有效
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（ 2002年5月）
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韩光电器有限公司
