0.3

50

T

j

= 25°C

C2V7

C3V9

C5V6

C6V8

C6V2

新产品

C3V3

C4V7

40

I

Z

，齐纳电流（毫安）

P

D

，功耗（ W）

C8V2

0.2

30

20

0.1

10

测试电流I

Z

5.0mA

0

0

25

50

75

100

125

150

T

A

，环境温度（

°

C)

图。 1功率降额曲线

0

0

1

3

4

5

6

8

9

7

V

Z

齐纳电压（V）

图。 2齐纳击穿特性

2

10

30

T

j

= 25°C

C10T

C12T

1000

T

j

= 25°C

F = 1MHz的

I

Z

，齐纳电流（毫安）

C

T

，总电容（PF ）

V

R

= 1V

V

R

= 2V

20

C15T

100

V

R

= 1V

C18T

测试电流I

Z

2mA

10

测试电流I

Z

5mA

C22T

V

R

= 2V

10

1

10

100

0

0

10

20

30

V

Z

齐纳电压（V）

图。 3齐纳击穿特性

40

V

Z

，额定齐纳电压（ V）

图。 4总电容VS额定齐纳电压

订购信息

设备

（类型号）-7 *

（注6 ）

包装

SOD-523

航运

3000 /磁带&卷轴

*添加“ -7”到合适的型号如表1上面的例子： 6.2V稳压= BZT52C6V2T - 7 。

注意事项：

6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

DS30502启示录7 - 2

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www.diodes.com

BZT52C2V0T - BZT52C24T