R8C / 28群， R8C / 29群
5.电气特性
表5.5
符号
t
D（ SR- SUS ）
快闪记忆体（闪存数据A座， B座）电气特性
(4)
参数
编程/擦除次数
(2)
字节编程时间
（编程/擦除耐力
≤
1000次）
字节编程时间
（编程/擦除耐力
＆ GT ;
1000次）
块擦除时间
（编程/擦除耐力
≤
1000次）
块擦除时间
（编程/擦除耐力
＆ GT ;
1000次）
延迟时间从暂停请求，直到
暂停
从擦除启动/重新启动，直到区间
下面的暂停请求
从项目启动/重新启动，直到区间
下面的暂停请求
从暂停直至编程/擦除时间
重新开始
编程，擦除电压
读取电压
编程，擦除温度
数据保持时间
(9)
环境温度= 55
°C
条件
标准
分钟。
10,000
(3)
650
0
2.7
2.2
-20
(8)
20
典型值。
50
65
0.2
0.3
马克斯。
400
9
97 + CPU时钟
× 6个周期
3 + CPU时钟
× 4个周期
5.5
5.5
85
单位
时
s
s
s
s
s
s
ns
s
V
V
°C
YEAR
注意事项：
1. V
CC
= 2.7 5.5 V在T
OPR
= -20至85℃ （N版） / -40至85℃ （ D版）中，除非另有说明。
编程/擦除次数2.定义
编程及擦除次数的是，每块的基础上定义的。
如果在编程和擦除次数为n（n = 100或10,000 ） ，每块可被擦除n次。例如，如果1024
1字节的写操作被执行到方框A中， 1千字节的块，然后在块被擦除，编程/擦除次数
仍停留在1 。
然而，相同的地址不能被编程一次以上擦除操作（禁止的重写） 。
3.耐力，以保证程序和擦除后所有的电气特性。 （ 1到最小值，可以保证） 。
4.标准模块A和模块B时，编程和擦除续航能力超过1000次。字节编程时间为1000倍
是一样的，在程序ROM 。
5.在执行多个编程操作的系统，实际的擦除次数可以写为sequential减小
反过来地址，使尽可能多的块尽可能用完执行擦除操作之前。例如，
编程时的16字节的组，重写的有效数量可以通过编程多达128组被最小化
之前删除它们都在同一个操作。它也是最好保留数据的每个块的擦除计数，并限制
擦除操作次数，以一定的数量。
6.如果在块擦除中出现错误，试图执行清除状态寄存器命令，然后执行块擦除
命令至少三次，直到不发生的擦除错误。
7.客户渴望编程/擦除失败率信息应与他们的瑞萨技术支持代表。
8. -40 ℃的D版。
9.数据保持时间包括在电源关闭或时钟没有被提供。
Rev.1.10 2007年5月17日
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