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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRFG35010A
第1版，第6/2006号
砷化镓PHEMT
射频功率场效应晶体管
设计用于WiMAX ， WLL / MMDS或UMTS司机和最终的应用程序。
其特征在于，从500至5000兆赫。设备是无法比拟的，适合
在AB类或A类线性基站应用中使用。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 12伏，我
DQ
=
140毫安，P
OUT
= 1瓦的魅力。 ， F = 3550 MHz的信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益在-10 dB
漏极效率 - 25 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 43 dBc的在3.84 MHz信道带宽
10瓦特的P1dB @ 3550 MHz的CW
出色的相位线性度和群时延特性
高增益，高效率和高线性度
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每32毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRFG35010AR1
3.5千兆赫， 10 W， 12 V
功率场效应管
砷化镓PHEMT
CASE 360D - 02 ，风格1
NI - 360HF
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
RF输入功率
存储温度范围
通道温度
(1)
工作温度范围
符号
V
DSS
V
GS
P
in
T
英镑
T
ch
T
C
价值
15
-5
33
- 65 +175
175
- 40 90
单位
VDC
VDC
DBM
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C， 10瓦CW
外壳温度79 ° C， 1 W CW
CLASS AB
A级
符号
R
θJC
价值
(1, 2)
4.0
4.1
单位
° C / W
1.对于运行可靠，操作通道温度不应超过150 ℃。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRFG35010AR1
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RF设备数据
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