订购数量： ENA0329
FSS273
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
FSS273
特点
通用开关设备
应用
电机驱动应用。
变频器驱动的应用程序。
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10s ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
占空比= 1 ％
占空比= 1 ％
安装在陶瓷基板
(1200mm
2
!0.8mm),
PW≤10s
条件
评级
45
±20
8
8.5
32
2.4
150
--55到150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 45V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 8A
ID = 8A ， VGS = 10V
ID = 4A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
45
1
±10
1.2
6
10
16
24
2225
260
190
27
55
150
80
22
34
2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： S273
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
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应用程序。
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AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
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