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FS6X1220R
电气特性（值SenseFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
符号
BV
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=160V
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.1A
V
DS
= 40V ，我
D
=4.1A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
F = 1MHz的
V
DD
= 100V ，我
D
=11.6A
（ MOSFET开关
时间基本上是
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=11.6A,
V
DS
= 160V （ MOSFET
切换时间是基本上
独立
工作温度）
分钟。
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.24
7.1
700
125
18
13
120
30
55
18
5
8
马克斯。
-
50
200
0.30
-
910
160
25
35
250
70
120
23
-
-
单位
V
A
A
姆欧
pF
ns
nC
4
