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256 - Mbit的J3 （ X8 / X16 ）
2.0
功能概述
英特尔的StrataFlash
内存系列包括组织为32 MB或高密度存储器
16Mwords （ 256兆位，可仅在0.18微米光刻工艺） ， 16 MB或8 Mwords
（ 128兆比特），8兆字节或4 Mwords （64兆位） ，和4兆字节或2 Mwords （32兆位） 。这些
设备可被访问的8位或16位的字。在128兆位设备被组织成一个hundred-
28 128千字节（ 131,072字节）擦除块。 64兆位的设备组织成六十
4 128千字节擦除块，而32兆位的设备包含32 128千字节擦除块。
128位保护寄存器有多种用途，其中包括独特的flash设备的识别。
该器件经过优化的架构和接口极大地提高了读取性能
支持页面模式读取。这种阅读模式是理想的非时钟记忆系统。
一个通用闪存接口（ CFI）允许将用于整个家庭的软件算法
设备。这允许独立于设备的，符合JEDEC的ID无关，和前向和后向
为指定的闪存设备系列兼容的软件支持。闪存厂商能够规范
他们的现有接口进行长期的兼容性。
可扩展指令集（ SCS ）允许所有主机系统的单一，简单的软件驱动程序工作
与所有SCS兼容的闪存设备，独立的系统级封装（如
存储卡， SIMM ，或直接到板位置） 。此外， SCS提供最高的
系统/设备的数据传输速率，减少设备和系统级的实施成本。
A命令的用户界面（CUI）作为系统处理器之间的接口
该装置的内部操作。写到崔有效的命令序列启动装置
自动化。内部写状态机（ WSM ）自动执行的算法和
必要的块擦除，编程和锁定位配置操作时序。
块擦除操作擦除设备的128字节块的一个通常在一个二线
独立于其他块。每个块可独立擦除100,000次。块擦除
暂停模式允许系统软件暂停块擦除读取或程序的任何数据
其他区块。同样，程序暂停允许系统软件挂起编程（字节/
字程序和写入到缓冲区操作）来读取数据，或从任何其它块中执行代码
一个没有被暂停。
每个器件都集成了写32个字节缓冲器（ 16个字） ，以允许最佳的编程
性能。通过使用写缓冲器，数据编程在缓冲递增。这个功能可以
提高系统性能的程序超过20次以上非写缓冲区写入。
块，并有选择地单独锁定在- system.Individual块锁使用块
锁定位锁定和解锁块。块锁定位门块擦除和编程操作。
锁定位配置操作设置和清除锁定位（组块锁位和清除块
锁定位命令） 。
状态寄存器指示时， WSM的块擦除，编程或锁定位配置
操作完成。
在STS （状态） ，提供既有输出给WSM活动的一个附加指标
身份地位屏蔽硬件信号（与软件轮询）和（中断屏蔽
背景块擦除，例如） 。使用STS状态指示既减少了CPU开销
和系统的功耗。当在水平模式（缺省模式）配置，它作为一个RY /
BY ＃信号。当低， STS表示WSM正在执行块擦除，编程或锁相
位配置。 STS-高表明WSM是准备好一个新的指令，块擦除
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数据表
