IS61C64B

8K ×8高速CMOS静态RAM

特点

高速存取时间： 10，12，和15纳秒

自动断电时芯片

取消

CMOS低功耗运行

- 450毫瓦（典型值）的操作

- 250 μW （典型值）待机

TTL兼容接口电平

单5V电源

全静态操作：无时钟或刷新

需要

三态输出

提高速度的一个芯片启用（ CE ）

ISSI

2002年7月

描述

该

ISSI

IS61C64B是一个非常高速，低功耗，

8192字×8位的静态RAM 。它是使用制造

ISSI

的高

高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程

再加上创新的电路设计技术，产量AC-

塞斯倍的速度为10 ns低功耗。

当

CE

为高（取消） ，器件处于待机

模式，在其中的功耗可被降低至

250 μW （典型值）， CMOS输入电平。

易内存扩展是利用一个芯片使能提供

输入，

CE 。

该低电平有效写使能（ WE）控制着

写入和读取的存储器。

该IS61C64B打包在JEDEC标准的28引脚，

300密耳SOJ和TSOP 。

功能框图

A0-A12

解码器

256 X 256

存储阵列

VCC

GND

I / O

数据

电路

I/O0-I/O7

列I / O

CE

OE

WE

控制

电路

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Rev. D的

07/01/02