LM27212
设计注意事项
V
OUT
= V
REF
+ I
OUT
个R
（续）
在这些等式中，
τ
是误差比较行程延误
点到瞬时外部功率FET开始切换。为
该LM27212和LM27222 ，该值被认为是为150ns
典型的。
要确定的最大开关频率，先用
下面的等式找到在V
in
值，其中所述频率
峰（注意，最大开关频率发生在
最大V
OUT
值） ：
计算的最小输出电容为C
民
=
1026F.
实施例2： L = 0.2μH ，
I
C_S
= 20A ，R
e
= 0.125mΩ ，V
OUT
=
1.00V ， R = -3mΩ ，
δ
= 10mV的，V
愿（死者）安息
= 12mV
计算出的
V
C_S
= 64mV
计算的最小输出电容为C
民
= 313F.
上述的计算是基于这样的假设
当最坏的情况卸瞬态发生时，顶
两个通道中的场效应管立即关闭。如果不是
总是这样，更多的电容是必要的，长椅
测试可能是必要的，以确定有多少更是
需要的。
输出电感的选择
大输出电感值，需要较大的输出电容
值，而较小的电感将导致较大的输出
纹波电压。为了满足预算的输出纹波电压，
我们需要找出在电感的纹波电流。
我们知道的峰 - 峰值电感电流为：
然后计算使用V频率
in_fmax
对于V
in
和
V
OUT_MAX
对于V
OUT
.
例如： RR1 = RR2 ，再= 3MΩ ，L = 0.6μH ，最大V
OUT
= 1.356V ，最大V
in
= 8.4V ，最小V
OUT
= 0.84V ， RS1
= 3MΩ ， RDS1 =为10mΩ ， RDS2 = 4MΩ ，我
OUT
= 0A ， R = -3mΩ ， IH
= 100μA ， RH1 = 40Ω 。
SO V
in_fmax
= 6.83V和最大开关频率是
f
最大
=的350kHz
最低开关频率发生在最小V
OUT
和
最大V
in
.
因此，对于上面的例子中，f
民
= 250kHz的。
输出电容
输出电容器是在控制输出电压临界
游览时，负载瞬变的第一反应。最初的
电压偏移包括两部分，即引起
输出电容器的ESR ，并且所引起的总
电容。当ESR的值是接近负载线
斜率值，初始电压偏移将通过所支配
血沉。否则，它将被主要引起的损失
在充电的电容器。对于负载瞬变的教程，请
是指在输出电容选择部分
LM2633数据表。
很明显，血沉不应超过负载线
坡| R | ，或负载设备的规格将立即
被侵犯。此外，该输出电容应
大于所需要的最小值
最坏情况下的瞬态卸载。
通过绘制开关频率的曲线，可以发现，在
最大脉动电流发生在最高V
in
和V
OUT
.
例如： RR1 = RR2 ，R
e
= 3MΩ ， L = 0.6μH ，最大V
OUT
= 1.356V ，最大V
in
= 15V ， RS1 = 3MΩ ，R
ds1
= 10m,
R
ds2
= 4MΩ ，我
OUT
= 0A ， R = -3mΩ ，1H = 100μA ， RH1 = 40Ω 。
计算出的频率为f = 266kHz ，以及D = 0.09
这样的峰 - 峰值电感电流
i
= 7.73A
因此，输出的峰 - 峰纹波电压23.2mV 。
MOSFET选择
底部FET选择
在正常操作过程中，底部场效应管导通和关断
在几乎为零的电压。因此，只有导通损耗的存在
底部FET 。底部FET功率损耗峰的
最大输入电压和负载电流。最重要的
时，选择底部的FET参数是导通
性。较低的导通电阻，功率越少
损失。在根据上面的公式所允许的最大导通电阻
室温下对于给定的FET封装，是：
哪里
实施例1： L = 0.6μH ，
I
C_S
= 20A ，R
e
= 3MΩ ，V
OUT
= 1.356V,
R = -3mΩ ，
δ
= 10mV的，V
愿（死者）安息
= 12mV 。
计算出的
V
C_S
= 64mV
其中T
J- MAX
是允许的最大结点温度
FET中，T
A- MAX
是最大环境温度，
R
θJA
是FET的结点至环境热阻，
和TC是导通电阻的温度系数
这通常是4000ppm /℃。
如果计算出的导通电阻是比最低的小
值可用，多个场效应管可以并行地使用。如果
设计准则是使用最高
ds
场效应管，那么
R
ds2_max
单个FET的可由于减少增加
电流。中的两个并联的FET的情况下，乘以
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