LM2735
P
传导
= I
IN2
x深个R
DSON
X 305毫瓦
二极管的损耗
V
D
= 0.45V
该值应等于在接合处的电阻
温度要分析。作为一个例子，在125℃下
和V
IN
= 5V ，R
DSON
= 250 m
（见
对于典型值图） 。
开关损耗也与内部的NMOS关联
开关。它们发生和关闭过渡切换期间PE-
riods ，在电压和电流重叠导致电源
损失。
以确定这个损失的最简单的方法是根据经验
测量所述开关的上升和下降时间（10％ 90 ％）
在交换结点：
P
SWR
= 1/2(V
OUT
X我
IN
架F
SW
x深
上升
)
P
SWF
= 1/2(V
OUT
X我
IN
架F
SW
x深
秋天
)
P
SW
= P
SWR
+ P
SWF
典型的交换节点上升和下降时间
V
IN
3V
5V
3V
5V
V
OUT
5V
12V
12V
18V
T
上升
6nS
6nS
7nS
7nS
T
秋天
4nS
5nS
5nS
5nS
P
二极管
= V
D
X我
IN
（ 1-D） = 236毫瓦
电感的功率损耗
R
DCR
= 75 m
P
IND
= I
IN2
个R
DCR
= 145毫瓦
总功率损耗为：
表2.电源损耗制表
V
IN
V
OUT
I
OUT
V
D
F
SW
T
上升
T
秋天
I
Q
R
DSON
R
DCR
D
η
5V
12V
500mA
0.4V
1.6MHz
6nS
5nS
4mA
250m
75m
0.623
86%
PLOSS
856mW
PSWR
PSWF
PQ
PCOND
PIND
80mW
70mW
20mW
305mW
145mW
噘
Pdiode
6W
236mW
静态功率损耗
I
Q
是的静态工作电流，并且通常围绕
4mA.
P
Q
= I
Q
X V
IN
P
国内
= P
COND
+ P
SW
= 475毫瓦
例如效率计算：
表1.工作条件
V
IN
V
OUT
I
OUT
V
D
F
SW
I
Q
T
上升
T
秋天
R
DSON
R
DCR
D
I
IN
5V
12V
500mA
0.4V
1.60MHz
4mA
6nS
5nS
250m
50m
0.64
1.4A
计算
和
ΣP
COND
+ P
SW
+ P
二极管
+ P
IND
+ P
Q
= P
损失
静态功率损耗
P
Q
= I
Q
X V
IN
= 20毫瓦
开关功率损耗
P
SWR
= 1/2(V
OUT
X我
IN
架F
SW
x深
上升
)
6纳秒
80毫瓦
P
SWF
= 1/2(V
OUT
X我
IN
架F
SW
x深
秋天
)
5纳秒
70毫瓦
P
SW
= P
SWR
+ P
SWF
= 150毫瓦
内部NFET功率损耗
R
DSON
= 250 m
我们现在知道的内部功耗，我们试戴
荷兰国际集团，以保持结温低于125 ℃。该
下一步骤是计算的值
和/或
。这是
其实很简单的完成，并且，如果你认为有必要
你可能会用边际关于热气流或确定
什么包的选择是正确的。
该LM2735具有热关断比较。当
硅达到的温度为160℃ ，器件隔
下来，直到温度降低至150℃ 。知道了这一点，
1可以计算出
或
的一个特定的应用程序。
由于结到顶部外壳的热阻是多少
比结到周围空气的热阻抗低，
在计算误差
比为低
。不过，
您需要安装一个小的热电偶到顶部的情况下
值。
的LM2735的获取
知道了硅的温度时，该装置自动关
下来让我们知道三四个变量。一旦我们
计算热阻抗，然后我们可以工作背景
病房与结温设定为125 ℃看到什么
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