LM2747
应用信息
（续）
米勒高原的水平。因此，这可能会影响选择
外部MOSFET的阈值电压的，并且
反过来可以取决于所选择的V
BOOT_DC
轨。
迄今，在上面的讨论中，向前穿过降
自举二极管已被忽略。但是，因为这确实影响
司机有点的输出，这是一个好主意，包括
这种下降在下面的实施例。纵观典型
应用原理，这意味着它们的差值电压
V
CC
- V
D1
，这是电压自举电容
充电到，必须始终大于最大
上部MOSFET导的阈值电压的误差容限
FET 。在这里， V
D1
是指自举的正向压降
举二极管D1 。这可能对最低限制
输入电压和/或类型的MOSFET使用。
一个基本的自举电路可以使用一个肖特基建
二极管和一个小的电容器，如图
图9 。
该
电容C
BOOT
供应之间保持足够的电压
高端MOSFET栅极和源极连到控制装置
当顶部MOSFET导通时，其源已上升至
输入电压电平。电荷泵电路由馈
V
CC
，它可以在各种工作在3.0V至6.0V 。
采用这种基本方法的电压施加到栅极
两高侧和低侧MOSFET为V
CC
- V
D
。这
方法效果很好，当V
CC
为5V
±
的10％ ，由于栅
驱动器将获得在最坏至少4.0V驱动电压
案件的V
CC -MIN
= 4.5V和V
D- MAX
= 0.5V 。逻辑电平
的MOSFET通常指定他们的导通电阻在V
GS
=
4.5V 。当V
CC
= 3.3V
±
的10％ ，在最坏的情况下的栅极驱动器
可以去低至2.5V 。逻辑电平MOSFET是不
保证打开，或者可以具有高得多的导通
电阻在2.5V 。子的逻辑电平MOSFET ，通常试样
网络版在V
GS
= 2.5V ，可以工作，但都比较昂贵，
趋向于具有导通电阻高。该电路在
图9
非常适用于输入电压范围从1V至14V ，并
V
CC
= 5V
±
的10％ ，因为驱动电压仅依赖于
V
CC
.
权力无论是V
CC
和自举电路，提供
高效的驱动逻辑电平MOSFET 。这样的一个例子
电路示于
网络连接gure 10 。
20150913
图10. LM78L05饲养基本电荷泵
图11
示出了第二种可能性为自举
使用倍MOSFET驱动器。该电路提供了一个
V等于电压驱动
CC
- 3V
D
+ V
IN
这两个高侧
和低侧MOSFET的驱动器。此方法只应
在使用3.3V为V电路中使用
CC
和V
IN
。即使
V
IN
= V
CC
= 3.0V （ 3.3V上降低10 ％容差）和V
D
=
0.5V两高侧和低侧栅极将具有至少
4.5V驱动的。栅极驱动器税务局局长的功率耗散
关，是成正比的栅极驱动电压，因此
该LM2747芯片的热极限很快就会被这是否达到
电路用于在V
CC
或V
IN
电压在5V 。
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20150912
图11.电荷泵添加了栅极驱动器
所有在通常上述图中所示的栅极驱动电路
在引导地方使用100 nF的陶瓷电容。
图9.基本电荷泵（引导）
需要注意的是LM2747能够以低成本线性配对
像LM78L05调节器从一个单一的输入轨运行
间6.0和14V。线性稳压器的5V输出
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