LM3405A
当LM3405A启动，从V内部电路
IN
支持
层数一个20mA电流升压针，流出的
BOOST引脚为C3 。该电流充电C3的电压suf-
够的开启开关。升压引脚将继续
在反馈引脚，以C3源电流，直到电压
超过123mV更大。
存在各种方法来推导V
BOOST
:
1.从输入电压（V
IN
)
2.从输出电压（V
OUT
)
3.从并联还是串联的齐纳二极管
4.从外部分布式电压轨（V
EXT
)
第一种方法示于的简化框图
图1 。
电容器C3由V经由二极管D2的充电
IN
。中
一个正常的开关周期时，内部NMOS功率时
开关处于断开状态（T
关闭
） （参照
图2），
V
BOOST
等于V
IN
MI-
努斯D2的正向电压（V
D2
） ，在此期间电流
在电感器（L1）的正向偏置的续流二极管D 1 （Ⅴ
D1
).
因此，存储C3两端的栅极驱动电压为：
V
BOOST
- V
SW
= V
IN
- V
D2
+ V
D1
当NMOS开关导通（T
ON
），开关销上升
要：
V
SW
= V
IN
– (R
DS （ ON）
X我
L
)
由于C3两端的电压保持不变，V
BOOST
is
被迫上升从而反向偏置D2 。在电压
V
BOOST
然后：
V
BOOST
= 2V
IN
– (R
DS （ ON）
X我
L
) – V
D2
+ V
D1
根据二极管D1的质量和D2 ，栅极
在该方法中驱动电压可稍小于或大于
输入电压V in
IN
。为了获得最佳性能，请确保
输入电源电压的变化不会导致栅极驱动
电压下降超出建议范围：
2.5V < V
IN
- V
D2
+ V
D1
＆ LT ; 5.5V
用于导出所述升压电压的第二个方法是CON组
NECT D2的输出，如图中
网络连接gure 3 。
栅极驱动器
电压在这个配置是：
V
BOOST
- V
SW
= V
OUT
– V
D2
+ V
D1
由于栅极驱动电压需要在2.5V的范围内
至5.5V ，输出电压V
OUT
应限制在一定的
范围内。对于V的计算
OUT
见输出电压
部分。
将串联D2的一个齐纳二极管D3 ，如图
科幻gure
4.
当使用从输入的一系列的齐纳二极管，所述栅极
驱动电压为V
IN
- V
D3
- V
D2
+ V
D1
.
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图4. V
BOOST
从V派生
IN
通过一系列
齐纳
另一种方法是，将齐纳二极管D3的分流
所示的配置
图5中。
小到为350mW
500mW的，采用SOT- 23和SOD封装的5.1V齐纳二极管可
用于此目的。一个小的陶瓷电容，如
6.3V ， 0.1μF的电容（C5）应放置在平行
齐纳二极管。当内部的NMOS开关导通时，一
脉冲电流被吸入到内部的NMOS栅极进行充电
电容。该0.1μF并联的并联电容保证了
在V
BOOST
电压在这段时间内保持。电阻R2
应选择提供RMS电流足以给齐纳
二极管和向所述升压销。对于推荐的选择
齐纳电流（I
齐纳
）为1mA 。目前我
BOOST
进入
BOOST引脚提供的功率NMOS的栅极电流
开关。它达到最大值周围3.6毫安在最高
5.5V在LM3405A操作范围的栅极驱动电压。
为最坏的情况下，我
BOOST
，增加的电流的50％。在
这种情况下，最大升压电流将是：
I
BOOST -MAX
= 1.5× 3.6毫安= 5.4毫安
R2将然后由下式给出：
R2 = （V
IN
- V
齐纳
) / (I
BOOST_MAX
+ I
齐纳
)
例如，设V
IN
= 12V, V
齐纳
= 5V ，我
齐纳
= 1mA时，则：
R2 = （ 12V - 5V ） / （ 5.4毫安+ 1毫安） = 1.09kΩ
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图3. V
BOOST
从V派生
OUT
第三种方法可以在应用中使用，其中两个
V
IN
和V
OUT
大于5.5V 。在这些情况下， C 3不能
从这些电压直接充电;而不是C3可
从V充电
IN
或V
OUT
减去齐纳电压（V
D3
）通过
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图5. V
BOOST
从V派生
IN
通过并联稳压
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