LM35
绝对最大额定值
（注10 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
输出电压
输出电流
储存温度;
TO- 46封装，
TO- 92封装，
SO - 8封装，
的TO-220封装，
铅温度：
TO- 46封装，
（焊接， 10秒）
+ 35V至-0.2V
+ 6V至-1.0V
10毫安
60C
60C
65C
65C
to
to
to
to
+180C
+150C
+150C
+150C
TO-92和TO-220封装，
（焊接， 10秒）
260C
SO封装（注12 ）
气相（60秒）
215C
红外（15秒）
220C
ESD易感性（注11 ）
2500V
指定工作温度范围：T已
民
给T
最大
（注2 ）
LM35 ， LM35A
-55 ° C至+ 150°C
LM35C ， LM35CA
-40°C至+ 110C
LM35D
0 ° C至+ 100°C
300C
电气特性
（注1,6 ）
LM35A
参数
条件
典型
准确性
（注7 ）
T
A
=+25C
T
A
=10C
T
A
=T
最大
T
A
=T
民
非线性
（注8）
传感器增益
（平均坡度）
负载调整率
（注3 ） 0≤I
L
≤1
mA
线路调整
（注3）
静态电流
（注9 ）
T
A
=+25C
T
民
≤T
A
≤T
最大
T
A
=+25C
4V≤V
S
≤30V
V
S
= + 5V ， + 25°C
V
S
=+5V
V
S
= + 30V ， + 25°C
V
S
=+30V
变化
静态电流
（注3）
温度
对COEF网络cient
静态电流
最低气温
额定精度
长期稳定性
中的电路
+1.5
+2.0
+1.5
+2.0
C
C
+0.39
+0.5
+0.39
+0.5
μA /°C的
4V≤V
S
≤30V,
+25C
4V≤V
S
≤30V
T
民
≤T
A
≤T
最大
+10.0
+9.9,
+10.1
+10.0
+9.9,
+10.1
毫伏/°C的
毫伏/毫安
T
民
≤T
A
≤T
最大
经过测试
极限
（注4 ）
设计
极限
（注5 ）
典型
LM35CA
经过测试
极限
（注4 ）
设计
极限
（注5 ）
C
单位
（ MAX 。 ）
±
0.2
±
0.3
±
0.4
±
0.4
±
0.18
±
0.5
±
1.0
±
1.0
±
0.35
±
0.2
±
0.3
±
0.4
±
0.4
±
0.15
±
0.5
±
1.0
±
1.0
±
1.5
±
0.3
C
C
C
C
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
105
56.2
105.5
0.2
0.5
±
1.0
±
3.0
±
0.05
±
0.1
67
131
68
133
1.0
2.0
±
0.4
±
0.5
±
0.01
±
0.02
56
91
56.2
91.5
0.2
0.5
±
1.0
±
3.0
±
0.05
±
0.1
67
114
68
116
1.0
2.0
毫伏/毫安
mV / V的
mV / V的
A
A
A
A
A
A
图1中，
I
L
=0
T
J
=T
最大
为
千小时
±
0.08
±
0.08
3
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