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ICS83908I-02
低偏移， 1至8 CRYSTAL - TO- LVCMOS扇出缓冲器
初步
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
选择无负载& XTALx
空载& CLK0选择
空载& CLK0选择
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
15
0
0
最大
2.625
2.0
单位
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4F 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
CLK0,
CLK_SEL0 ： 1
OE
CLK0,
CLK_SEL0 ： 1
OE
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DD
= 3.3V或2.5V ± 5％的
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OH
输出安高压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
-5
-150
2.6
1.8
1.2
0.6
0.5
0. 4
最低
2.2
1.6
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.9
150
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
输入高电流
I
IL
输入低电平电流
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡/切割模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
10
测试条件
最低
典型的最大
40
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
IDT
/ ICS
LVCMOS扇出缓冲器
4
ICS83908AGI -02 REV 。 B 2007年7月24日
