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K9K8G08U1A
K9F4G08U0A
EDC操作
初步
FL灰内存
需要注意的是谁使用拷贝回用EDC模式下的用户中，只有一个时的随机数据输入是可以在相同的地址中
拷贝回程序或网页编程模式。对谁使用拷贝回到无EDC的用户来说，没有限制的随机数据
输入在相同的地址。
图12.页复印，返回程序操作与EDC &读EDC状态
R / B
I /牛
00h
Add.(5Cycles)
35h
t
R
t
PROG
85h
Add.(5Cycles)
10h
7Bh
EDC状态输出
上校Add.1,2 &行Add.1,2,3
源地址
上校Add.1,2 &行Add.1,2,3
目标地址
块擦除
擦除操作完成以块为基础。块地址加载完成由擦除设置启动三个周期
命令（ 60H ） 。只有地址A
18
到A
29
有效而A
12
到A
17
被忽略。擦除确认命令（ D0H ）以下的块
地址加载启动内部擦除过程。安装程序然后执行命令这两步顺序可确保
存储器的内容不会被意外由于外部干扰条件下擦除。
在我们的擦除确认指令输入后的上升沿，内部写控制器处理擦除和擦除验证。当
擦除操作完成时，写状态位（I / O 0 ）可以被检查。图13详细描述的顺序。
图13.块擦除操作
R / B
I /牛
60h
t
别尔斯
"0"
地址输入（ 3Cycle ）
行添加1,2,3
失败
D0h
70h
I/O0
"1"
通
双机页面编程
双机页面编程是页面编程的延伸，与2112字节的页寄存器，一个平面上。由于该装置是
配备有两个存储器架，激活两套2112字节的页寄存器使得两个同时的编程
页。
写入第一组数据到2112字节的到所选择的页寄存器代替，虚拟页编程命令（11H）之后
实际页面编程命令（ 10小时）被输入到完成数据加载所述第一平面的。由于不涉及编程过程中，
R / B仍处于忙状态的时间很短的周期（ tDBSY ） 。读状态命令（ 70H ），可发出找出当设备
通过查询返回就绪状态就绪/忙状态位（ I / O 6 ） 。然后下一个数据集的其它平面后的输入
81H命令和地址序列。输入，而不是虚拟数据的最后面，实际真页编程（ 10小时）后
页面编程命令（ 11H ）必须遵循开始编程过程。 R / B和读状态的操作是
相同的页面编程。 Althougth两个平面被同时编程，通过/失败不能用于每一页时
程序操作完成。第I状态位输入/输出0被设置为"1"当任何页面失败。
限制与双机页面编程地址显示为Figure14 。
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