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电气特性
平均芯片结温度（T
J
）在
°C
可以从得到的：
T
J
= T
A
+
(
P
D
× Θ
JMA
)
(1)
其中：
T
A
Θ
JA
P
D
P
INT
P
I / O
=环境温度，
°C
=封装热阻，结到环境，
° C / W
= P
INT
+
P
I / O
=芯片内部的电源，我
DD
×
V
DD
沃茨
=对输入和输出引脚的功耗 - 用户决定，瓦
对于大多数应用P
I / O
＆ LT ;
P
INT
并且可以被忽略。 P之间的近似关系
D
和T
J
（如果P
I / O
被忽略的）为：
P
D
=
K
÷ (
T
J
+
273°C
)
解方程1和2中K给出：
K = P
D
×
(T
A
+ 273
°C)
+
Θ
JMA
×
P
D 2
(3)
其中，K是一个常数有关的特定部分。 。K可从等式（3）通过测量P来确定
D
（在平衡状态下）
对于一个已知的
A
。使用该K的值， P的值
D
和T
J
可以通过求解方程（1）和获得（2）反复进行
的T任意值
A
.
(2)
2.4
闪存特性
表23. SGFM闪存编程和擦除特性
(V
DDF
= 2.7 3.6 V ）
参数
符号
f
SYS （R）的
f
SYS （ P / E）
民
0
0.15
典型值
—
—
最大
66.67或
80
1
66.67或
80
1
单位
兆赫
兆赫
闪存存储器的特性示于
表23
和
表24中。
系统时钟（只读）
系统时钟（编程/擦除）
2
1
2
根据包装;看
表2中。
参阅闪速存储器部分以获得更多信息
表24. SGFM闪存模块的生命特质
(V
DDF
= 2.7 3.6 V ）
参数
保障计划的最大数量/擦除周期
1
故障前
数据保存在85°C的平均工作温度
1
2
符号
P / E
保留
价值
10,000
2
10
单位
周期
岁月
程序/擦除周期被定义为从1切换位
→
0
→
1.
不需要擦除现有的闪速存储器阵列块的重新编程。
MCF5213的ColdFire微控制器，第3版
30
飞思卡尔半导体公司
