初步电气特性
5
电源必须保持在操作电动调节
DD
在瞬时范围
而最大工作电流的条件。如果积极的注入电流（V
in
> EV
DD
）大于
比我
DD
中，注入电流可以流出来的EV的
DD
并可能导致外部电源
走出去调节。确保外部EV
DD
负载分流比最大电流更大
注入电流。这将是最大的风险，当MCU不耗电（当然，没有
时钟） 。电源必须保持在操作电动调节
DD
在范围内
瞬时最大工作电流的条件。
5.2
热特性
表5.热特性
特征
符号
四层板
(2s2p)
四层板
(2s2p)
θ
JMA
θ
JMA
θ
JB
θ
JC
Ψ
jt
T
j
256MBGA
26
1,2
23
1,2
15
3
10
4
2
1,5
105
196MBGA
32
1,2
29
1,2
20
3
10
4
2
1,5
105
160QFP
40
1,2
36
1,2
25
3
10
4
2
1,5
105
单位
°C
/W
°C
/W
°C
/W
°C
/W
°C
/W
o
C
结到环境，自然对流
结到环境（为200英尺/分钟）
结对板
结到外壳
结到封装顶部
最大工作结温
注意事项：
1
θ
JMA
和
Ψ
jt
参数模拟在符合EIA / JESD 51-2标准的自然对流。飞思卡尔
建议使用
θ
JMA
并且在系统设计功耗规格，以防止器件结
温度超过额定规格。系统设计师们应该知道，器件的结
温度可以通过电路板布局和周边设备上显著的影响。符合该设备
结温度规范可以通过物理测量在客户的系统使用来验证
Ψ
jt
参数，该设备的功耗，并且在EIA / JESD标准51-2中记载的方法。
2
根据JEDEC JESD51-6与董事会的水平。
3
模头和所述印刷电路板在符合JEDEC JESD51-8之间的热阻。板
温度测量电路板上的封装附近的顶表面上。
4
如通过冷板的方法（MIL SPEC- 883测得的模头和壳体顶面之间的热阻
方法1012.1 ） 。
5
指示包装顶部和连接处之间的温差热特性参数
温度每JEDEC JESD51-2 。当希腊字母都没有用，热特性参数
写在符合PSI- JT 。
平均芯片结温度（T
J
）在
°C
可以从得到的：
T
J
= T
A
+
(
P
D
× Θ
JMA
)
等式。 1
其中：
T
A
Q
JMA
P
D
P
INT
P
I / O
=环境温度，
°C
=封装热阻，结到环境，
° C / W
= P
INT
+ P
I / O
= I
DD
×
IV
DD
，瓦特 - 芯片内部电源
=电源输入和输出引脚散热 - 用户决定
MCF5373的ColdFire
微处理器数据手册，版本0.3
飞思卡尔半导体公司
初步
15
