DC电气规格
表3.热阻（续）
特征
结到环境（为200英尺/分钟）
结对板
结到外壳
结到封装顶部
1
符号
四层板（ 2S2P ）
—
—
自然对流
θ
JMA
θ
JB
θ
JC
Ψ
jt
价值
16
1,2
11
3
7
4
2
1,5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
2
3
4
5
θ
JA
和
Ψ
jt
参数进行模拟，根据EIA / JESD标准51-2为自然对流。飞思卡尔
建议使用
θ
JA
并且在系统设计功耗规格，以防止器件结
温度超过额定规格。系统设计师们应该知道，器件的结
温度可以通过电路板布局和周边设备上显著的影响。符合该设备
结温度规范可以通过物理测量在客户的系统使用来验证
Ψ
jt
参数，该设备的功耗，并且在EIA / JESD标准51-2中记载的方法。
根据JEDEC JESD51-6与董事会的水平。
模具和根据JEDEC JESD51-8所述印刷电路板之间的热阻。主板温度
在电路板上封装附近的顶表面上进行测量。
如通过冷板的方法（MIL SPEC- 883测得的模头和壳体顶面之间的热阻
方法1012.1 ） 。
指示包装顶部和连接处之间的温差热特性参数
温度每JEDEC JESD51-2 。当希腊字母都没有用，热特性参数
写为PSI- JT 。
3
DC电气规格
表4
列出的DC电的操作温度。此表是根据电动汽车的工作电压
DD
= 3.3 V
DC
± 0.3 V
DC
和四
DD
1.5 ± 0.07 V
DC
.
表4.直流电特定网络阳离子
特征
外部（ I / O焊盘），工作电压范围
存储器（ I / O焊盘），工作电压范围（ DDR内存）
内部逻辑工作电压范围
1
PLL模拟工作电压范围
1
USB振荡器工作电压范围
USB数字逻辑工作电压范围
USB PHY的操作电压范围内
USB振荡器的模拟工作电压范围
USB PLL工作电压范围
输入高电压SSTL 3.3V / 2.5V
2
输入低电压SSTL 3.3V / 2.5V
2
输入电压高3.3V的I / O引脚
输入低电压3.3V的I / O引脚
符号
EV
DD
SD V
DD
IV
DD
PLL V
DD
USB_OSV
DD
USBV
DD
USB_PHYV
DD
USB_OSCAV
DD
USB_PLLV
DD
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
民
3.0
2.30
1.43
1.43
3.0
3.0
3.0
1.43
1.43
V
REF
+ 0.3
V
SS
- 0.3
0.7× EV
DD
V
SS
- 0.3
最大
3.6
2.70
1.58
1.58
3.6
3.6
3.6
1.58
1.58
SD V
DD
+ 0.3
V
REF
- 0.3
EV
DD
+ 0.3
0.35 X EV
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MCF547x的ColdFire
微处理器，第4版
飞思卡尔半导体公司
5
