位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第158页 > EM42AM1684RBA > EM42AM1684RBA PDF资料 > EM42AM1684RBA PDF资料1第1页
eorex
特点
初步
EM42AM1684RBA
256MB （ 4M
×
4Bank
×
16)
双倍数据速率SDRAM
描述
该EM42AM1684RBA是高速同步
图形内存制造具有超高性能
含268435456位CMOS工艺，
组织为4Meg字× 4银行由16位。
256MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。
数据路径内部预取多个比特和
它传输的datafor上升沿和下降沿
该系统的clock.It指一倍数据
带宽可以在I / O引脚来实现。
可用的软件包： FBGA - 60B （ 12mmx10mm ） 。
内部双数据速率的架构2
每个时钟周期的访问。
单2.5V
±0.2V
电源
2.5V SSTL - 2兼容的I / O
突发长度为2 （B / L） ， 4 ， 8
2,2.5,3时钟读取延迟
双向，间歇性数据选通（ DQS ）
除了数据和DM所有输入进行采样
在系统时钟的上升沿。
数据掩模（DM）写入数据
顺序&交错突发类型可用
每个突发访问自动预充电选项
DQS边沿对齐与读周期数据
DQS中心对齐与写周期的数据
DLL对齐DQ & DQS转换与CLK
过渡
自动刷新和自刷新
8,192刷新周期/ 64ms的
订购信息
部件号
EM42AM1684RBA-75F
EM42AM1684RBA-6F
组织
16M ×16
16M ×16
马克斯。频率
为133MHz / DDR266 @ CL3
为166MHz / DDR333 @ CL3
包
BGA-60B
BGA-60B
GRADE
广告
广告
Pb
免费
免费
* EOREX保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2006年7月
1/19
www.eorex.com
