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eorex
特点
初步
EM42BM1684LBB
512MB （ 8M
×
4Bank
×
16)
双倍数据速率SDRAM
描述
该EM42BM1684LBB是高速同步
图形内存制造具有超高性能
含536,870,912位CMOS工艺，
组织为8Meg字× 4银行由16位。
512MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。
数据路径内部预取多个比特和
它传输的datafor上升沿和下降沿
该系统的clock.It指一倍数据
带宽可以在I / O引脚来实现。
可用的软件包： FBGA - 60B （ 11.5mmx10mm ） 。
内部双数据速率的架构2
每个时钟周期的访问。
1.8V
±0.1V
VDD / VDDQ
1.8V LV- COMS兼容的I / O
突发长度为2 （B / L） ， 4 ， 8 ， 16
3时钟读取延迟（ CL3 ）
双向，间歇性数据选通（ DQS ）
除了数据和DM所有输入进行采样
在系统时钟的上升沿。
数据掩模（DM）写入数据
顺序&交错突发类型可用
每个突发访问自动预充电选项
DQS边沿对齐与读周期数据
DQS中心对齐与写周期的数据
无DLL ， CK到DQS不同步
深度掉电模式
部分阵列自刷新（ PASR ）
自动温度补偿自刷新
（ TCSR ）通过内置的温度传感器
自动刷新和自刷新
8,192刷新周期/ 64ms的
订购信息
部件号
EM42BM1684LBB-75F
EM42BM1684LBB-75FE
组织
32M ×16
32M ×16
马克斯。频率
为133MHz / DDR266 @ CL3
为133MHz / DDR266 @ CL3
包
BGA-60B
BGA-60B
GRADE
商用。
扩展温度。
Pb
免费
免费
* EOREX保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2006年7月
1/20
www.eorex.com
