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EL7532
在极端条件下（V
IN
< 3V ，我
O
> 0.7A ，和结
温度高于75 ° C） ，输入电容
1
is
推荐为22μF 。否则，如果任何上述3
条件是不正确的，C
1
可以保持为10μF 。
在RMS电流出现在输入电容器由决定
下式：
V
O
× (
V
IN
- V
O
)
-
I
inrms
= -----------------------------------------------
×
I
O
V
IN
热关断
一旦结点温度达到145℃时，稳压器关
下来。两个P沟道和N沟道MOSFET开启
关。输出电压将下降到零。与输出
MOSFET的关断时，稳压器将很快降温。
一旦结点温度下降到约130 ℃，则
调节器将再次重新启动中的相同方法EN引脚
连接到逻辑高电平。
热性能
的EL7532是在熔融铅MSOP10包。相比
到正规MSOP10包，该稠合引线封装
提供更低的热阻。典型的
θ
JA
of
115℃ / W （请参阅规格表热信息部分）
可通过最大化周围的覆铜面积改善
销。一
θ
JA
以100℃ / W能够在一个四层电路板来实现
和125 ° C /上2层基板W 。请参阅Intersil的技术
简单地说， TB379 ，对热性的更多信息。
这是大约一半的输出电流I的
O
对于所有在V
O
。这
输入电容必须能够处理这种电流。
电感器的峰 - 峰纹波电流给定为：
(
V
IN
- V
O
) ×
V
O
-
ΔI
IL
= -------------------------------------------
L
×
V
IN
×
f
S
L是电感
f
S
开关频率（标称为1.5MHz ）
电感器必须能够处理我
O
为RMS负载
电流，以保证电感器是可靠的，它必须
处理可能发生的电流在3A浪涌电流
限制条件。
除了去耦电容和电感的值，它是
重要的是要正确尺寸相位超前电容C
4
（参见典型应用图） 。的相位超前
电容产生额外的相位裕度控制回路
通过产生一个零点和在传递函数中的极点。作为
一般的经验法则，C
4
的尺寸应以启动相位
导致在 2.5KHZ的频率。零点总是会出现
在频率低于极点低，按照公式
如下：
1
f
Z
= ----------------------
2πR
2
C
4
布局的注意事项
的布局是非常重要的是，转换器的功能
正常。下面的PC布线准则应该是
其次：
区分电源接地和信号接地（ ） ;
只在在引脚中的一个点右键将它们连接起来
将输入电容尽可能靠近V
IN
和GND引脚
地
使下面的PC轨迹尽可能小：
- 以L
X
引脚为L
- 从C
O
到PGND
如果使用，从FB引脚与R连接跟踪
1
和R
2
as
近越好
最大化围绕PGND引脚的铜面积
芯片额外的地面下发生的几通孔
面，以提高散热性
该演示板布局是基于一个很好的例子
轮廓。请参考EL7532应用简介。
在R的正常范围
2
（ 10-100k ） ，C
4
将范围从
470-4700pF 。极点频率不能被设置一次
零频率被选择，因为它是由R的比值决定的
1
和R
2
，这是由所需要的输出集合单独确定
点。下面的等式示出了极点频率
关系：
1
f
P
= ---------------------------------------
2π
(
R
1
R
2
)C
4
电流限制和短路保护
电流极限设定为大约3A对于PMOS 。当一个
短路发生在负载时，预设的电流限制
限制了当前可用的量来输出，该输出
使输出电压下降到低于预定电压。
在此期间，过量的电流加热的
调节器，直到达到热关断点。
7
FN7435.7
2006年12月8日
