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MCP1827/MCP1827S
AC / DC特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
输出(最大)
+ V
差( MAX)
注意事项1 ,
V
R
= 1.8V的可调输出,
I
OUT
= 1毫安,C
IN
= C
OUT
= 4.7 μF ( X7R陶瓷) ,T
A
= +25°C.
粗体
适用于结温,T
J
(注
7)
of
-
40 ° C至+ 125°C
参数
电压调节
降特性
输入输出电压差
电源良好特性
PWRGD输入电压Operat-
ING范围
V
PWRGD_VIN
1.0
1.2
V
PWRGD_TH
89
90
PWRGD阈值迟滞
PWRGD输出电压低
PWRGD漏
PWRGD延时
检测阈值来PWRGD
活动时间延迟
关断输入
逻辑高输入
逻辑低电平输入
SHDN输入漏电流
AC性能
输出延迟从SHDN
输出噪声
T
OR
e
N
100
2.0
s
μV / √Hz的
SHDN = GND到V
IN
V
OUT
= GND 95 %V
R
I
OUT
= 200 mA时, F = 1千赫,C
OUT
= 10 μF ( X7R陶瓷) ,V
OUT
=
2.5V
V
SHDN -HIGH
V
SHDN -LOW
SHDN
ILK
-0.1
±0.001
45
15
+0.1
%V
IN
%V
IN
A
V
IN
= 2.3V至6.0V
V
IN
= 2.3V至6.0V
V
IN
= 6V , SHDN = V
IN
,
SHDN = GND
V
PWRGD_HYS
V
PWRGD_L
P
WRGD
_
LK
T
PG
T
VDET - PWRGD
1.0
92
92
2.0
0.2
1
200
200
95
94
3.0
0.4
%V
OUT
V
nA
s
s
I
PWRGD SINK
= 1.2毫安,
ADJ = 0V
V
PWRGD
= V
IN
= 6.0V
上升沿
R
上拉
= 10 kΩ
V
ADJ
或V
OUT
= V
PWRGD_TH
+
20 mV至V
PWRGD_TH
- 20毫伏
6.0
6.0
%V
OUT
V
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
对于V
IN
< 2.3V ,我
SINK
= 100 A
PWRGD阈值电压
(参考V
OUT
)
下降沿
V
OUT
<固定的2.5V ,V
OUT
= ADJ。
V
OUT
> = 2.5V固定
V
IN
-V
OUT
330
600
mV
注5 ,
I
OUT
= 1.5A,
V
IN(分钟)
= 2.3V
符号
V
OUT
V
R
- 2.5%
典型值
V
R
±0.5%
最大
V
R
+ 2.5%
单位
V
注2
条件
注1 :
2:
3:
4:
5:
6:
7:
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.3V和V
IN
V
输出(最大)
+
V
差(MAX)。
V
R
是标称稳压器输出电压为固定的情况。 V
R
= 1.2V , 1.8V , V等。
R
为所需的设定点输出
电压对于可调。 V
R
= V
形容词*
((R
1
/R
2
) 1 ) 。图4-1 。
TCV
OUT
= (V
OUT-高
– V
OUT-低
) *10
6
/ (V
R
*
Temperature ) 。
V
OUT-高
被测量的最高电压比
温度范围。 V
OUT-低
是测定在温度范围的最低电压。
负载调整率是使用低占空比脉冲测量的结温恒定。负载调整率
测试负载范围从1 mA至规定的最大输出电流。
电压差定义为输入 - 输出电压差,当输出电压下降到低于2%,其
测定用作为V的一个输入电压的标称值
IN =
V
OUTMAX
+ V
差( MAX)
.
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和结点到空气热阻。 (即,T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热将导致器件的工作结温超过最高+ 150°C的评价。持续
结温度超过150 °C可能影响器件的可靠性。
结温度是通过在环境温度等于被测浸泡设备近似
所需的结温。由于测试时间足够短,上升的结温超过
环境温度不显著。
2006年Microchip的科技公司
DS22001B第7页

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