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MCP3425
电气特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数的适用对于T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
DD
= +5.0V, V
SS
= 0V,
V
IN
+ = V
IN
- = V
REF
/ 2 。所有ppm单位使用2 * V
REF
为满量程范围。
参数
偏移误差
失调漂移与温度的关系
共模抑制
符号
V
OS
民
—
—
—
—
增益与V
DD
在直流电源抑制
电源要求
电压范围
在电源电流
转变
电源电流待机过程中
模式
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
施密特触发器的滞后
用于输入
（注7 ）
电源电流，当我
2
C总线
线是有源
输入漏电流
V
DD
I
DDA
I
DDS
2.7
—
—
—
—
155
145
0.1
5.5
190
—
0.5
V
A
A
A
V
DD
= 5.0V
V
DD
= 3.0V
—
—
典型值
30
300
100
105
5
95
最大
—
—
—
—
—
—
单位
V
内华达州/ ℃，
dB
dB
PPM / V
dB
条件
经测试，在PGA = 1
V
DD
= 5.0V和DR = 15 SPS
V
DD
= 5.0V
在DC和PGA = 1 ，
在DC和PGA = 8 ，
T
A
= +25°C
T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.7V至5.5V ，
PGA = 1
T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.7V至5.5V ，
PGA = 1
I
2
C数字输入和数字输出
V
IH
V
IL
V
OL
V
HYST
I
DDB
I
ILH
I
生病
引脚电容和我
2
C总线电容
引脚电容
I
2
C总线电容
热特性
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
C
针
C
b
—
—
—
—
10
400
pF
pF
0.7 V
DD
—
—
0.05V
DD
—
—
-1
—
—
—
—
—
—
—
V
DD
0.3V
DD
0.4
—
10
1
—
V
V
V
V
A
A
A
V
IH
= 5.5V
V
IL
= GND
I
OL
= 3毫安， V
DD
= +5.0V
f
SCL
= 100千赫
低于或超过此电压值的任意输入电压将导致泄漏电流通过ESD二极管的输入引脚。
此参数为特征，而不是100 ％测试。
输入阻抗是由于内部3.2 pF的输入采样电容。
总转换速度包括失调和增益的自动校准。
INL是端点线与量化频带的中心测量的代码之间的差。
包括由板载PGA和V的所有错误
REF
.
满量程范围（ FSR ） = 2× 2.048 / PGA = 4.096 / PGA 。
此参数为特征，而不是100 ％测试。
此参数通过设计保证，而不是100 ％测试。
2007 Microchip的技术公司
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