位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1539页 > MCP4725A1TE/CH > MCP4725A1TE/CH PDF资料 > MCP4725A1TE/CH PDF资料1第28页
MCP4725
8.2
使用非易失性EEPROM
内存
8.4
布局的注意事项
电感耦合交流瞬态和数字开关
来自其他设备的噪声可以在DAC的影响
性能和DAC输出的信号完整性。小心
电路板布局将这些影响降至最低。基准测试
已经表明，多层电路板使用低电感
tance地平面，隔离输入，隔离输出
和适当的去耦对于实现关键
性能MCP4725所能提供的。
在特别恶劣的环境可能需要屏蔽
的关键信号。单独的数字地和模拟地
飞机被推荐。在这种情况下，在V
SS
引脚和
在V的接地销
DD
MCP4725中的电容器
应该连接到模拟地平面。
用户可存储该DAC输入代码（12位）和
掉电配置位（2位） ，在内部
使用I非易失性EEPROM存储器
2
C写的
命令。用户也可以读出的EEPROM中的数据
使用I
2
C读取命令。当该装置是第一
供电后，电源关闭，设备上传
EEPROM的内容到DAC寄存器automati-
美云，并立即提供DAC输出。这
特征是在应用中的DAC非常有用
装置被用来提供设定点或校准数据
在应用系统中的其他设备。该DAC会
不丢失重要的系统运行参数
由于系统停电事故。看
第5.6节“非易失性EEPROM存储器”
为
在非易失性EEPROM存储器的更多细节。
8.5
应用实例
8.3
电源注意事项
的电源设备被用于两个V
DD
和DAC的基准电压。引起的任何噪音
V
DD
行都会对DAC性能的影响。典型
应用程序将需要以一个旁路电容
滤除高频噪声对V
DD
线。该
噪声可干扰到电源走线或
作为对DAC输出变化的结果。旁路
电容有助于最大限度地减少这些噪声的影响
源的信号完整性。
图8-1
显示了
例如使用两个旁路电容（一个10 μF的
钽电容和一个0.1 μF陶瓷电容）
平行在V
DD
线。这些电容应
放在尽量靠近V
DD
销地（内
4 mm).
电源应尽可能干净。如果
应用电路具有单独的数字和模拟
电源，在V
DD
和V
SS
在MCP4725的引脚
应放置在模拟平面。
MCP4725是一款轨到轨输出DAC设计
一起一伏操作
DD
范围为2.7V至5.5V 。其输出
放大器是足够强大驱动通用小显
直接纳尔负载，从而消除了成本和尺寸
外部缓冲器，用于大多数应用。
8.5.1
直流设定点或校准
一个常见应用的MCP4725是
数字控制的设定点或可变的校正
参数，如传感器失调或偏置点。
例8-1
示出了设定点设置的一个例子。
因为MCP4725是一个12位的DAC，且使用V
DD
电源作为参考电压源，它提供了一个V
DD
中/ 4096
每步的分辨率。
DS22039C第28页
2007 Microchip的技术公司
