怀特电子设计
订购信息
EDI88512C
EDI 8 8 512 X X X
怀特电子设计
SRAM
组织， 512Kx8
技术：
C = CMOS标准电源
LP =低功耗
访问时间（纳秒）
套餐类型：
C = 32领先Sidebrazed DIP ， 600密耳（包9 ）
N = 32铅陶瓷SOJ （ 140包）
设备等级：
B = MIL - STD- 883标准
M =军事屏蔽
-55 ° C至+ 125°C
I =工业
-40 ° C至+ 85°C
C =商用
0 ° C至+ 70°C
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年2月
启示录11
7
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