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麦克雷尔
一个0.5W检流电阻是一个很好的选择
应用程序。
MIC2589/MIC2595
电压4.5V到10V的。对于MIC2589 / MIC2595
应用中,选择栅极 - 源极导通电阻在
10V ,并把这个值R
ON
。由于大量增强
MOSFET作为欧姆(电阻)元件,几乎
所有的需要来确定稳态功率
耗散是计算余
2
R的1增编
这是MOSFET的R中略有增加
ON
增加
DIE
温度。
A
良好
逼近该值被设定为R增长0.5 %
ON
每摄氏度上升的结温超过点
其中R
ON
最初是由制造商指定。
例如,如果选择的MOSFET具有
计算的r-
ON
在为10mΩ的T
J
= 25 ℃,实际
结温最终在110℃ ,良好的第一
切断R的操作值
ON
将是:
R
ON
10m[1 + (110 – 25)(0.005)]
≈14.3m
最后的步骤是确保散热
提供给MOSFET能够消散在
至少尽可能多的功率(额定单位为℃ / W)为与
该MOSFET的性能被指定
制造商。这里有一些实用的技巧:
1.从TO- 263功率MOSFET的热
流程几乎完全脱离了漏选项卡。如果
漏片可以焊接到1
平方英寸以上,则铜将作为
散热器的一部分。这个铜须
是董事会的同一层上
MOSFET的漏极。
2.气流的作品。甚至几LFM (线性英尺
每空分)将冷却下来MOSFET
大增。如果可以,请将
MOSFET ( S)靠近电源的口
供给的风扇,或处理器的出口
冷却风扇。
3.候选人MOSFET的最好的测试
应用程序(假设上面的提示
表明它是一个可能的配合)是一个经验之一。
检查MOSFET的温度在
预计最终电路的实际布局,在
整个工作电流。使用一
热电偶在漏极引线或红外线
高温计上的包,然后给出一个
该器件的结合理的想法
温度。
功率MOSFET选择
选择合适的外部MOSFET与使用
theMIC2589 / MIC2595包括三个简单的
任务:
MOSFET的选择,以满足最小电压
要求。
选择一个设备来处理最大的
连续电流(稳态热的问题) 。
验证所选零件是否能够经受住任何
峰值电流(瞬态热问题) 。
功率MOSFET的工作电压要求
第一电压要求的MOSFET是
MOSFET的漏极 - 源极击穿电压
必须大于V
IN (MAX)
= V
DD
– V
EE
(最小值) 。
第二击穿电压的标准必须是
met的是栅极 - 源极电压。对于
MIC2589 / MIC2595 ,外部MOSFET的栅极
被驱动到最大11V以上的VEE 。这
也就是说,外部MOSFET必须选择
具有12V的栅极 - 源极击穿电压或
以上; 20V建议。大多数功率MOSFET
具有20V的栅 - 源电压额定值有一个30V的
漏源击穿等级或更高。对于许多
48V电信应用,瞬态电压尖峰
方法,有时超过, 100V 。该
绝对最大输入电压额定值
MIC2589 / MIC2595为100V ;因此,漏极 - 源极
100V的击穿电压被建议用于
外部MOSFET 。此外,外部输入
电压钳位强烈推荐
不利用经调节功率应用
耗材。
功率MOSFET稳态热问题
MOSFET的选择,以满足最大
连续电流是一个相当简单的运动。
首先,武装自己与下面的数据:
I的值
LOAD ( CONT , MAX 。 )
在输出
问题(见检测电阻的选择) 。
制造商的数据表的候选人
MOSFET。
最高环境温度,其中
设备将被要求进行操作。
所有的知识,你可以得到关于散热
提供给该装置(例如,可热消散
到接地平面或电源平面,如果使用
表面贴装一部分?可在任何气流? ) 。
数据表几乎总是提供有关的值
电阻为给定的MOSFET在栅极 - 源极
2005年12月
功率MOSFET的瞬态热问题
如果预期的MOSFET已经显示
承受环境电压应力和
最坏情况下的稳态功耗为
处理,剩余的任务是验证是否
MOSFET能够处理极端的过流
负载故障,如短路,而不
过热。功率MOSFET可处理多少
22
M9999-120505
(408) 955-1690

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