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MIC2584/2585
相反的方向。这里，在最坏情况下的最大电流
租金是使用中发现一个57.5mV的电压之旅和一个检测电阻器
即3％低的值。将得到的方程是：
I
LOAD （ CONT ， MAX）
=
麦克雷尔
MOSFET电压要求
第一电压要求的MOSFET很容易说：
MOSFET的漏极 - 源极击穿电压必须
大于V
IN （MAX）
。例如，一个12V的输入可以推理
巧妙地期望看到的高频瞬态高达
18V 。因此，在该漏极 - 源极击穿电压
MOSFET必须至少为19V 。充裕的安全边际和
标准的可用性，最接近的最低值是20V 。
必须满足的第二击穿电压的标准是一个
不是简单的漏源击穿电压有点微妙，但
不难满足。在MIC2584 / 85的应用中，所述栅极
外部MOSFET被驱动到约20V的
内部输出MOSFET （同样假定12V操作）。在
同时，如果外部MOSFET的输出（其源）
突然经受短暂，栅极 - 源极电压将去
为（ 20V - 0V） = 20V 。这意味着外部MOSFET
必须被选择为具有的栅极 - 源极击穿电压
20V或更多，它是一个可用的标准最大值。
但是，如果操作上述12V ， 20V的栅 - 源
最大的可能会被超过。其结果是，外部齐纳
二极管钳位电路，以防止破裂
外部MOSFET时，在电压高于10V操作。一
以10V额定齐纳二极管被推荐为示于
图12.目前，大部分功率MOSFET与一个
20V的栅 - 源电压额定值有一个30V的漏极 - 源极突破性
评级下降或更高。作为一般的提示，选择表面贴装
器件具有30V的漏极 - 源极评级为起点。
最后， MIC2584的外部栅极驱动器/ 85需要
低电压逻辑电平MOSFET时，在工作电压
低于3V 。有可用2.5V逻辑电平MOSFET 。
见表5 ， "
MOSFET和检测电阻供应商
"的
建议厂家。
(
0.97
)
(
R
SENSE （ NOM ）
)
57.5mV
=
59.3mV
R
SENSE （ NOM ）
(12)
作为一个例子，如果一个输出必须携带一个连续6A
不误动作发生， 11式
收益率：
R
SENSE （ MAX）
=
41.3mV
=
6
.
88m
。下一个最低
6A
标准值是6MΩ 。在另一组耐受极端
有问题的输出，
59.3mV
=
9
.
88A
。知道了这最后的DA-
6.0m
TUM ，我们可以判断的意义上的必要功率
使用P电阻器= I
2
R，在那里我将我
LOAD （ CONT ， MAX）
和
R将是（ 0.97） （注册商标
SENSE （ NOM ）
） 。这些数字产生
下：P
最大
= (9.88A)
2
（ 5.82mΩ ） = 0.568W 。在这种EX-
充裕的，一个1W的检流电阻就足够了。
MOSFET选择
I
LOAD （ CONT ， MAX）
=
选择合适的外部MOSFET与使用
MIC2584 / 85包括三个简单的任务：
一个MOSFET符合最低的选择
电压要求。
选择一个设备来处理最大的
连续电流（稳态热是 -
起诉） 。
验证所选零件是否能够经受住任何
峰值电流（瞬态热问题） 。
核心供电
(V
CC
)
I / O电源
(V
DD
)
V
DD
V
DD
DATA IN
I
1
OE
产量
司机
电路
块
I
2
产量
司机
电路
块
DATA IN
OE
数据输出
数据输出
外
总线控制
CORE
I / O
双电源DSP
TX_ / RX
外设
图11.双向端口总线争用
2005年3月
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MIC2584/2585
