位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2424页 > MMBD4448-7-F > MMBD4448-7-F PDF资料 > MMBD4448-7-F PDF资料1第2页
I
F
，正向电流（mA）
1000
I
R
，瞬时反向电流（ NA）
10000
T
A
= 125C
1000
100
T
A
= 75C
100
10
T
A
= -40C
T
A
= 0C
10
T
A
= 25C
1
T
A
= 25C
T
A
= 75C
T
A
= 125C
1
T
A
= 0C
T
A
= -40C
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
，正向电压（ V）
图。 1典型正向特性
3
F = 1MHz的
0.1
0
20
40
60
80
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 2典型的反向特性
500
P
d
，功耗（毫瓦）
C
T
，总电容（PF ）
2.5
400
2
300
1.5
200
1
100
0.5
0
0
10
20
30
40
50
0
0
100
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 4 ，最大功耗与
环境温度
200
V
R
，反向电压（V）的
图。 3典型的电容与反向电压
订购信息
设备
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
MMBD4448-7-F
注意事项：
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
KA3
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
KA3 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
YM
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS12011牧师11 - 2
2 3
www.diodes.com
MMBD4448
