MMBT2907AT
典型特征
h
FE
典型的脉冲电流增益
V
CEBAT
集电极 - 发射极电压（ V）
500
VCE=5V
400
300
200
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
25 C
125 C
0.5
b=10
0.4
0.3
25 C
0.2
0.1
0
1
10
100
500
125 C
-40 C
-40 C
I
C
集电极电流（毫安）
I
C
集电极电流（毫安）
图1典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
V
BEON
基极发射极电压（ V）
FIG.2Collector发射极饱和
电压Vs集电极电流
V
最好的
基极发射极电压（ V）
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
VCE=5V
1
0.8
0.6
125 C
0.4
b=10
0.2
0
1
10
100
500
-40 C
25 C
-40 C
25 C
125 C
1
10
25
IC-集电极电流（毫安）
IC-集电极电流（毫安）
图3基射极饱和电压
VS集电极电流
图4基极发射极电压ON
VS集电极电流
I
CBO
-collector CUREENT （ NA）
100
20
电容（pF）
VCB=35V
10
16
12
1
兴业银行
8
4
0
-0.1
0.1
0.01
25
50
75
100
125
COB
-1
-10
-50
TA-环境温度（ C）
反向偏置电压（V）的
图5集电极截止电流
- 环境温度
图6输入和输出电容
VS反向偏置电压
WEITRON
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