UTC MMBT5088 / MMBT5089
NPN外延硅晶体管
电气特性
(Ta=25
°
C，除非另有说明）
参数
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（注）
MMBT5088
MMBT5089
集电极 - 基极击穿电压
MMBT5088
MMBT5089
集电极截止电流
MMBT5088
MMBT5089
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CEO
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
=0
民
最大
单位
30
25
V
（ BR ） CBO
I
C
= 100μA ，我
E
=0
35
30
I
CBO
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
CB
= 15V ，我
E
=0
I
EBO
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
EB
= 4.5V ，我
C
=0
50
100
50
50
V
V
V
V
nA
nA
nA
nA
基本特征
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
（SAT）
基射极电压上
V
BE
（上）
小信号特性
电流增益带宽积
f
T
V
CE
= 5.0毫安， IC = 500
A，F = 20MHz的
集电极 - 基极电容
建行
V
CB
= 5.0V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
发射极 - 基极电容
CEB
V
EB
= 0.5V ， IC = 0 ， F = 100kHz的
小信号电流增益
h
FE
V
CE
= 5.0V ， IC = 1.0毫安， F = 1.0kHz
MMBT5088
MMBT5089
噪声系数
NF
V
CE
= 5.0V ， IC = 100
A，R
s
=10k
,
MMBT5088
F = 10kHz至15.7kHz
MMBT5089
注：脉冲测试：脉冲Width≤300
S，占空比= 2.0 ％ 。
V
CE
= 5.0V ，我
C
=100A
MMBT5088
MMBT5089
V
CE
= 5.0V ，我
C
=1.0mA
MMBT5088
MMBT5089
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安（注）
MMBT5088
MMBT5089
I
C
= 10毫安，我
B
=1.0mA
I
C
= 10毫安，V
CE
=5.0V
300
400
350
450
300
400
900
1200
0.5
0.8
50
4
10
350
450
1400
1800
3.0
2.0
V
V
兆赫
pF
pF
dB
dB
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
2
QW-R206-033,A
