ON Semiconductort
高压晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
MMBTA43
200
200
6.0
500
单位
VDC
VDC
VDC
MMBTA42LT1
安森美半导体首选设备
3
1
MADC
2
器件标识
MMBTA42LT1 = 1D ; MMBTA43LT1 = M1E
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
qJA
PD
556
300
2.4
R
qJA
TJ ， TSTG
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236 ）
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
MADC ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 100
MADC ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 200伏， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
V（ BR ） CEO
300
V（ BR ） CBO
300
V（ BR ） EBO
ICBO
—
IEBO
—
0.1
0.1
μAdc
6.0
—
—
VDC
μAdc
—
VDC
VDC
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年6月 - 第3版
出版订单号：
MMBTA42LT1/D
