DTC114EE系列
偏置电阻晶体管NPN硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
记号
8A
8B
8C
8D
94
8F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
记号
8H
8J
8K
8L
8M
8N
8P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
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12-Jun-06
