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系统设计信息
直流电源电压
3.3V
2.5V
VDD_IO ，
VDD_IO_MEM （ SDR）的
VDD_IO_MEM （ DDR ）
1.5V
1
VDD_CORE ，
PLL_AVDD
2
0
时间
注意：
1. VDD_CORE不应超过VDD_IO ， VDD_IO_MEM或PLL_AVDD超过
0.4伏，在任何时间，包括电。
2.建议VDD_CORE / PLL_AVDD应跟踪VDD_IO / VDD_IO_MEM
高达0.9 V，那么分离的坡道完成。
3，输入电压不能大于电源电压（ VDD_IO ， VDD_IO_MEM ，
VDD_CORE ，或PLL_AVDD ）超过0.5 V ，在任何时候，包括在上电期间。
4.使用1微秒或更慢的上升时间为所有用品。
图52.电源电压定序
VDD_IO_MEM和VDD_IO之间的关系是在上电和掉电非关键
序列。无论VDD_IO_MEM （ 2.5 V或3.3 V）和VDD_IO指定相对于VDD_CORE 。
5.1.1
上电顺序
如果VDD_IO / VDD_IO_MEM被加电与VDD_CORE 0V时，在I / O焊盘的感测电路
将导致连接到VDD_IO / VDD_IO_MEM所有垫的输出驱动器是在高阻抗
状态。没有限制VDD_IO / VDD_IO_MEM多久后通电VDD_CORE之前，必须
上电。 VDD_CORE不应导致的VDD_IO ， VDD_IO_MEM或PLL_AVDD超过0.4
电源在V斜坡上升或将有大电流的内置ESD保护二极管。上升时间
上的电源应该比1微秒更慢，以避免接通内部ESD保护
钳位二极管。
推荐的电序列如下：
使用一微秒或更慢的上升时间为所有用品。
MPC5200数据手册，第4
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飞思卡尔半导体公司
