DDR和DDR2 SDRAM
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DDR和DDR2 SDRAM
本节介绍了直流和交流电气规格的的DDR SDRAM接口
MPC8347EA 。需要注意的是DDR SDRAM是GV
DD
（典型值） = 2.5 V和DDR2 SDRAM是GV
DD
（典型值） = 1.8 V.
交流电气规格都是相同的DDR和DRR2 SDRAM 。
记
本文档中的信息是准确的进行修订3.0硅及更高版本。为
在1.1版本中硅和信息更早版本看
MPC8347E
的PowerQUICC II Pro整合型主机处理器的硬件规格。
SEE
第23.1节， “零件编号本文件完全解决， ”
硅修订级别
的决心。
6.1
DDR和DDR2 SDRAM直流电气特性
表11
提供推荐工作条件的的DDR2 SDRAM组件（S ）
MPC8347EA当GV
DD
（典型值）= 1.8 V
.
表11. DDR2 SDRAM直流电气特性的GV
DD
（典型值）= 1.8 V
参数/条件
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
高输出电流（V
OUT
= 1.420 V)
输出低电流（V
OUT
= 0.280 V)
符号
GV
DD
MV
REF
V
TT
V
IH
V
IL
I
OZ
I
OH
I
OL
民
1.71
0.49
×
GV
DD
MV
REF
– 0.04
MV
REF
+ 0.125
–0.3
–9.9
–13.4
13.4
最大
1.89
0.51
×
GV
DD
MV
REF
+ 0.04
GV
DD
+ 0.3
MV
REF
– 0.125
9.9
—
—
单位
V
V
V
V
V
μA
mA
mA
4
笔记
1
2
3
注意事项：
1. GV
DD
预计将在50毫伏的DRAM的拍摄画面GV的
DD
在任何时候。
2. MV
REF
预计相当于0.5
×
GV
DD
和跟踪GV
DD
DC变动，在接收端进行测量。峰峰值噪声
在MV
REF
不能超过DC值的±2％。
3. V
TT
不直接向设备施加。它是哪个远端信号的终止是由供给和预计等于
MV
REF
。这条铁路应该跟踪变化， MV的直流电平
REF
.
4.输出泄漏测量时，所有输出关闭， 0 V
≤
V
OUT
≤
GV
DD
.
MPC8347EA的PowerQUICC II Pro整合型主机处理器的硬件规格，第3版
16
飞思卡尔半导体公司
