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电气特性
表2.推荐工作条件（续）
特征
模拟电源的e300内核APLL
模拟电源系统APLL
DDR和DDR2 DRAM I / O电压
差分基准电压的DDR控制器
标准I / O电压
eTSEC2 IO电源
eTSEC1 / USB DR IO供电
供应eLBCIOs
模拟地和数字地
符号
AV
DD1
AV
DD2
GV
DD
MV
REF
NV
DD
LV
DDA
LV
DDB
LV
DD
VSS
推荐
价值
1
1.0
1.0
2.5/1.8
1/2 DDR供应
3.3
2.5/3.3
2.5/3.3
3.3
0.0
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
27毫安
85毫安
85毫安
60毫安
当前
需求
10毫安
10毫安
425毫安
注意事项：
1. GVDD ， OVDD ，AVDD和VDD必须彼此跟踪，并且必须变化以相同的方向，或者在正或负
方向。
图2
示出了下冲和过冲电压的MPC8313E的接口。
G / L / NV
DD
+ 20%
G / L / NV
DD
+ 5%
V
IH
G / L / NV
DD
VSS
VSS - 0.3 V
V
IL
VSS - 0.7 V
不超过10 ％
的t
interface1
注意：
1.注意吨
接口
指的是与总线时钟接口相关联的时钟周期。
图2.过冲/下冲电压为GV
DD
/ NV
DD
/ LV
DD
MPC8313E的PowerQUICC
II Pro处理器硬件规格，第0版
飞思卡尔半导体公司
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