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8.3.3
SGMII直流电气特性
在MPC8313的SGMII方案被设计在一个4线交流耦合的SGMII链路中使用。
表32
andTable
33describe
所述SGMII交流耦合的直流电气特性。发射器的特点是
在发送器输出测量， SD_TX和SD_TX_B所描绘
图15 。
表32.直流变送器电气特性
参数
输出高电压
输出低电压
符号
V
OH
V
OL
V
环
|V
OD
|
V
OS
(XPADVDD/2)/1.7
0.3*XPADVDD
民
最大
0.7*XPADVDD
1
单位
mV
mV
不对齐
直流耦合
SGMII
笔记
输出振荡
输出电压差
输出失调电压
10
(XPADVDD/2)/1.3
%
mV
mV
不对齐
直流耦合
SGMII
（ XPADVDD / 2 ） - 50毫伏（ XPADVDD / 2 ） + 50毫伏
输出阻抗
（单端）
不匹配的一对
改变V
OD
之间的“0”和“1”的
改变V
OS
之间的“0”和“1”的
短到GND输出电流
1
XPADVDDrefers
R
O
ΔR
O
Δ|V
OD
|
Δ
V
OS
I
SA
, I
SB
40
60
10
25
25
40
Ω
%
mV
mV
mA
到的SGMII发射机输出的电源电压。
SD_TX
发射机
100欧姆
SD_TX_B
图15.发射机参考电路
MPC8313E的PowerQUICC
II Pro处理器硬件规格，第0版
32
飞思卡尔半导体公司
