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功率特性
推荐IO电压之前应用的核心电压，并断言PORESET电源之前
充分斜坡上升。
3
.
功率特性
表4. MPC8313E功耗
1
核心频率（MHz ）
267
333
CSB频率（MHz ）
133
167
典型
2, 3
680
820
最大
2,3
880
1020
单位
mW
mW
所估计的典型功耗为这个家族MPC8313E设备的示于
表4
和
表5
显示估计的典型I / O功耗。
注意：
1.值不包括I / O供电或AV
dd
.
2.典型的电源是基于V的电压
dd
= 1.05V ， T的结温
j
= 105℃，和一个人工
吸烟的考验。
3.这些都是初步估算
1
表5. MPC8313E的典型I / O功耗
接口
参数
GV
DD
GV
DD
NV
DD
LV
DDA
/ LV
DDB
LV
DDA
/ LV
DDB
LV
DDB
单元点评
(1.8 V) (2.5 V) (3.3 V)
(3.3V)
(2.5V)
(3.3V)
—
—
—
0.355
0.323
0.291
W
W
W
DDR 1 ， 60 ％ utilzation ，为333MHz ， 32位
50％的读/写
266MHz的32位
RS = 22Ω
RT = 50Ω
为200MHz ， 32位
一对时钟
容性负载：
数据=为8pF ，控制
地址=为8pF ，
时钟=驱动8pF
DDR 2 ， 60 ％的利用率，为333MHz ， 32位0.266
50％的读/写
266MHz的32位0.246
RS = 22Ω
RT = 75
为200MHz ， 32位0.225
一对时钟
容性负载：
数据=为8pF ，控制
地址=为8pF ，
时钟=驱动8pF
PCI I / O负载= 50pF的
33兆赫
66兆赫
本地总线I / O
负载= 20pF的
66兆赫
50兆赫
—
—
—
W
W
W
0.120
0.249
0.056
0.040
W
W
W
W
MPC8313E的PowerQUICC
II Pro处理器硬件规格，第0版
飞思卡尔半导体公司
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