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表4-7外部存储器接口时序（续）
工作条件： V
SS
= V
SSIO
= V
SSA
= 0 V, V
DD
= 1.62-1.98 V, V
DDIO
= V
DDA
= 3.0 3.6V ，T
A
= -40 °到+ 120° C，C
L
50pF的英镑，P = 8.333ns
特征
地址有效到RD拉高
RD后的有效输入数据保持
拉高
RD断言宽度
地址有效到输入数据有效
地址有效到RD断言
RD断言到输入数据有效
WR拉高到RD断言
RD拉高到RD断言
WR拉高到WR断言
RD拉高到WR断言
符号
t
ARDD
t
DRD
t
RD
t
AD
t
ARDA
t
RDD
t
WRRD
t
RDRD
t
WRWR
t
RDWR
等待状态
CON组fi guration
D
-2.07
0.00
-1.34
-10.27
-13.5
- 0.94
-9.53
-12.64
-0.75
-0.16
2
M
1.00
不适用
1
1.00
1.00
1.19
0.00
1.00
1.19
0.25
0.00
0.75
1.00
0.50
0.69
等待状态
控制
RWSS ， RWS
—
RWS
RWSS ， RWS
RWSS
RWSS ， RWS
WWSH ， RWSS
RWSS ， RWSH
WWSS ， WWSH
MDAR ， BMDAR ，
RWSH ， WWSS
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
WWS=0
WWS>0
-0.44
-0.11
0.14
-0.57
1. N / A ，因为设备捕获数据也拉高RD前
2.如果RWSS = RWSH = 0， RD期间不背到背读取和D撤消AC = 0.00应使用。
4.7复位，停止，等待，模式选择，并且中断时间
表1.复位，停止，等待，模式选择，并且中断时间
1, 2
工作条件： V
SS
= V
SSIO
= V
SSA
= 0 V, V
DD
= 1.62-1.98V, V
DDIO
= V
DDA
= 3.0 3.6V ，T
A
= -40 °到+ 120° C，C
L
≤
50pF的，女
op
= 120MHz的
特征
复位有效到地址，数据和控制
信号的高阻抗
最小复位有效时间
3
复位无效到第一外部地址输出
边沿触发中断请求宽
符号
t
拉兹
t
RA
t
RDA
t
IRW
民
—
30
—
1T + 3
最大
11
—
120T
—
单位
ns
ns
ns
ns
看到网络连接gure
4-11
4-11
4-11
4-12
56855技术数据，版本6
28
飞思卡尔半导体公司
