UTC MPSA92 / 93 PNP外延硅晶体管
参数
发射极截止电流
直流电流增益（注）
符号
I
EBO
h
FE
测试条件
V
EB
= -3V ， IC = 0
V
CE
= -10V ， IC = -1mA
V
CE
= -10V ， IC = -10mA
V
CE
= -10V ， IC = -30mA
IC = -20mA ，我
B
=-2mA
IC = -20mA ，我
B
=-2mA
V
CE
= -20V ， IC = -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -20V ， IE = 0
f=1MHz
民
60
80
80
典型值
最大单位
-0.10
A
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
(sat)1
基射极饱和电压
V
BE
(sat)1
电流增益带宽积
fT
集电极电容基地
建行
UTC MPSA92
UTC MPSA93
注：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％ ，V
CE(SAT)1
<200mV （单班）
-0.5
-0.90
50
6
8
V
V
兆赫
pF
典型性能特性
图1直流电流增益
3
10
4
-10
图2饱和电压
2
10
图3电容
Ic=10*I
B
VCE （SAT） ， VBE （星期六） （MV ）
V
CE
=-10V
直流电流增益，H
FE
2
10
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
C
IB
（PF ） ，C
CB
（PF ）
3
-10
C
IB
1
10
1
10
2
-10
C
CB
0
10
0
-10
1
-10
2
-10
3
-10
4
-10
1
-10
0
-10
1
-10
2
-10
3
-10
4
-10
-1
-10
0
-10
1
-10
2
-10
集电极电流IC （MA ）
集电极电流IC （MA ）
集电极 - 基极电压（ V）
图4有源区安全
工作区
3
-10
s
0.1m
图5电流增益
带宽积
3
10
1 .0
D
集电极电流IC （MA ）
电流增益带宽
产品（兆赫）
C
al
米℃，
呃25
日C =
T
5W
1. ATIO
it
LIM
ms
2
-10
MPSA93
V
CE
=-20V
f=100MHz
2
10
1
-10
625mW热
限制TA = 25℃
结合故障
限制TJ = 150℃
1
-10
0
-10
1
-10
MPSA92
2
-10
3
-10
1
10
0
-10
1
-10
2
-10
集电极 - 发射极电压（ V）
集电极电流IC （MA ）
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R201-019,A
