SPN3414
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN3414是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路中的高侧开关和低线
需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗
贴装封装。
特点
20V/4.0A,R
DS （ ON）
=55m@V
GS
=4.5V
20V/3.4A,R
DS （ ON）
=70m@V
GS
=2.5V
20V/2.8A,R
DS （ ON）
=90m@V
GS
=1.8V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
呈导通电阻和最大直流电流
能力
SOT- 23-3L封装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置（ SOT- 23-3L ）
最热
2006/04/20
Ver.3
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