SPN1012
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN1012是N沟道增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
应用
司机：继电器/螺线管/灯具/锤
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
特点
N沟道
20V/0.65A,R
DS （ ON）
=380m@V
GS
=4.5V
20V/0.55A,R
DS （ ON）
=450m@V
GS
=2.5V
20V/0.45A,R
DS （ ON）
=800m@V
GS
=1.8V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 523 （ SC - 89 ）封装设计
引脚配置（ SOT - 523 / SC- 89 ）
最热
2007/01/ 02
Ver.2
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