SPP4953
P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP4953是双P沟道增强逻辑
型功率场效应晶体管都采用生产
高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用程序，笔记本电脑的电源管理和
其它电池供电的电路，其中的高侧
切换。
特点
-30V/-5.0A,R
DS （ ON）
=的60mΩ @ V
GS
=- 10V
-30V/-4.5A,R
DS （ ON）
= 80mΩ @ V
GS
=- 6V
-30V/-3.7A,R
DS （ ON）
= 90mΩ @ V
GS
=-4.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOP - 8P包装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置（ SOP - 8P ）
最热
2006/10/16
Ver.1
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