SPP2301
P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP2301是P沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路和低线的功率损耗，需要在非常
小尺寸表面贴装封装。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
-20V/-2.8A,R
DS （ ON）
=120m@V
GS
=-4.5V
-20V/-2.0A,R
DS （ ON）
=170m@V
GS
=-2.5V
超高密度电池设计极低
R
DS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 23-3L封装设计
引脚配置（ SOT- 23-3L ）
最热
2007/02/02
Ver.3
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