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优势
TM
半导体
创新照明
的AlInGaP ： DWX - EJS
相对发光强度与正向电流
相对强度
相对强度;归成50mA
1.6
1.4
转发电流与正向电压
2.3
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
正向电压，V
1.2
2.2
2.1
2
1.9
1.8
0
20
40
60
80
正向电流毫安
正向电流毫安
最大电流与温度
容许正向电流，毫安
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
80
70
容许正向电流与占空比
容许正向电流与占空比
（ TA = 25 ℃， Tp<10us ）
1000
正向电流毫安
60
50
40
30
20
10
0
100
10
1
1
10
100
环境温度
占空比％
辐射方向图
30°
20°
10°
0°
1.0
40°
0.8
50°
0.6
60°
70°
80°
90°
0.4
0.2
0
5
25/06/2007 V5.0
