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AAT3680
锂离子/聚合物
线性电池充电控制器
用P沟道MOSFET 。如果没有其它亲
tection在该系统中，短接输入端可以显示
通过的体二极管对电池进行充电
通过MOSFET。如果反向阻塞二极管是
添加到系统中，一个设备，应选择
它所能承受的最大电流不变
租用的充电电流在最大系统雄心
耳鼻喉科温度。
二极管的选择
通常，一个肖特基二极管被用在反向电流
堵与AAT3680的应用程序。其他
成本较低整流器类型的二极管，也可以如使用
充足的输入电源余量可用。
阻塞二极管的选择应基于可销
器件的正向电压的其（Ⅴ
F
） ，额定电流应
荷兰国际集团，和输入电源电平与最大
电池的充电电压和成本。
首先，确定最小二极管的正向电压
下降的要求。参考下面的等式：
其中：
P
D（ MIN ）
=最小额定功率二极管的选择
V
F
=二极管正向电压
I
CC
=恒流充电电平的
系统
肖特基二极管
肖特基二极管被选择用于此应用
因为它们具有低的正向电压降，典型
ically之间0.3V和0.4V 。较低的V
F
许可证
在恒定电流充电一个较低的电压降
电平由系统设置;更少的功率会耗散
pated电路中的这个元素。肖特基
二极管允许更低的功耗，更小的
组件封装尺寸和更大的电路lay-
出密度。
整流二极管
任何通用的整流二极管可用于
与AAT3680应用电路代替一
成本较高肖特基二极管。设计权衡
一个整流二极管具有较高的正向电压
下降。 V
F
对于一个典型的硅整流二极管是在
0.7V范围内的。较高的V
F
将放置一个输入支持
层电压要求为电池充电系
统。这还需要一个更高功率的额定
由于在恒定电流的电压降二极管
收费幅度将更大。指的是预
viously表示的公式计算最小
V
IN
和二极管P
D
对于一个给定的应用程序。
V
IN（分钟）
= V
蝙蝠（最大）
+ V
F（ TRAN ）
+ V
F（二极管）
其中：
V
IN（分钟）
=最小输入电平
电池
收费
电压
V
蝙蝠（最大）
=最大
需要
V
F（ TRAN ）
=调整管的正向压降
V
F（二极管）
=阻断二极管的正向电压
基于最大恒定电流充
为系统级组，下一个步骤是来确定
雷最小额定电流和功率han-
危及周围的阻塞二极管能力。该constant-
当前电量水平本身将决定什么样的微型
妈妈的额定电流必须是给定的阻塞
二极管。最小的功率处理能力必须
基于恒流扩增计算
突地和二极管的正向电压（V
F
):
P
D（ MIN ）
=
V
F
I
CC
PCB布局
为获得最佳效果，建议物理 -
光年放置电池组尽可能地向
在AAT3680的BAT引脚。为了尽量减少电压降
在PCB上，保持高电流承载痕迹
足够宽。最大功率耗散
在导通晶体管，这是至关重要的，以提供足够的
铜扩散的热量。参考AAT3680
图8 ，图9和10演示板的PCB布局。
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3680.2006.03.1.6
