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1MHz的2.5A降压型DC / DC转换器
AAT1155结温
P =
ON
=
I
O2
· R
DS （ ON）
· V
O
t
SW
· F
S
· I
O
+ I
Q
· V
IN
+
2
V
IN
2.5
2
· 70mΩ · 3.3V
为20ns · · 1MHz的2.5A
+
+
690
μ
A ·
5V
2
AAT1155
该120μF日前，Vishay 594D钽电容具有
85mΩ的ESR和1.48Arms的纹波电流额定值
在C外壳尺寸。虽然较小的情况下，大小suf-
计算好额定纹波电流，其ESR水平
会导致过大的输出纹波。
ESR的要求钽电容可以
估计是：
0.42
瓦
T
J（下最大）
= T
AMB
+
θ
JA
· P
= 70 °C至+ 150 ° C / W · 0.42W = 133℃
ESR
≤
I
RMS
=
V
纹波
100毫伏
=
= 111mΩ
Δ
I
0.9A
1
·
(V
OUT
+ V
F
) · (V
IN
+ V
OUT
)
L = F
S
· V
IN
2· 3
3.65V ·1.7 V
= 240mArms
2 · 3 1.5μH · · 1MHz的5V
·
1
二极管
V
I
二极管
= I
O
· 1 -
O
V
IN
3.3V
= 0.93A
= 2.5A · 1 -
5.25V
V
FW
=
0.35
V
=
P
二极管
= V
FW
·
I
二极管
= 0.35
V ·
0.93
A =
0.33A
定120℃/ W的环境的热阻
从制造商的数据手册，T
J（下最大）
的
二极管是：
两个或三个X5R 1812 100μF 6.3V陶瓷
并联电容同时提供足够的相位
利润率。低ESR和ESL关联
陶瓷电容也降低了输出纹波显
着地在那看到的钽电容。
温度上升是由于ESR纹波电流耗散
而不能使也减小。
输入电容
输入电容纹波为：
T
J（下最大）
= T
AMB
+ Θ
JA
·
P
= 70 °C至+ 120 ° C / W
·
0.33W
= 109°C
I
RMS
= I
O
·
V
V
O
· 1 -
O
= 1.82Arms
V
IN
V
IN
输出电容
需要足够的输出电容值
环的相位裕度取决于电容器的类型
器选择。对于低ESR陶瓷电容器，
需要200μF的最小值。对于低
ESR的钽电容，更低的值是可接受
能。而相对较高的ESR相关
与钽电容将给予更多的相
缘和一个更挫伤瞬态响应，
输出电压纹波会更高。
在所示的例子中， C1是一个陶瓷电容
位于尽可能接近的IC越好。 C1亲
志愿组织的锋利边缘的低阻抗路径
与输入电流相关联。 C4可能会或可能
不要求，这取决于阻抗
特点看回源。它
用于打击任何输入振荡的可能
源自即高电感的来源。为
大多数应用中，其中源具有足够的
大电容，并直接馈送到AAT1155
通过大PCB走线或面，它不是
所需。当操作该AAT1155评价
董事会在板凳上， C4是由于需要
从实验室运行的导线的电感
RY电源评估板。
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1155.2006.09.1.7
