STK16C88
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
参数
#1, #2
Alt键。
民
最大
民
最大
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK16C88-25
STK16C88-45
单位
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
t
ELQV
t
AVAV
t
ELEH
t
AVQV
g
f
,
f
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
h
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
地址更改或芯片使能到输出有效
地址更改或禁用芯片到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
0
5
5
25
25
45
25
10
5
5
10
0
10
0
25
45
ns
ns
45
20
ns
ns
ns
ns
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
t
GLQX
t
GHQZ
h
e
d
,
e
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
15
ns
ns
15
ns
ns
t
ELICCH
t
EHICCL
45
ns
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：地址受控
F，G
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
3
t
AVQV
SRAM读周期＃ 2 ： E和G受控
f
ADDR ESS
t
ê LE
1
t
EL Q V
2
29
t
EHAX
11
t
EHI CC L
7
t
EHQ
E
27
6
t
ELQ X
G
t
AV QV
4
8
t
体中Q X
t
体中QV
9
t
GH Q
3
DQ （D ATA OUT）
10
t
ELI CC
AC牛逼IVE
DAT一个VAL ID
I
CC
圣和
文件控制＃ ML0018版本2.0
2008年1月
4
