位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1429页 > STK16C88-3WF35 > STK16C88-3WF35 PDF资料 > STK16C88-3WF35 PDF资料3第3页
STK16C88-3
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
t
AVQV
g
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
t
ELICCH
e
t
EHICCL
d
,
e
(V
CC
= 3.0V-3.6V)
STK16C88-3-35
单位
民
最大
35
35
35
15
5
5
13
0
13
0
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
3
t
AVQV
数据有效
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
2
t
AVAV
地址
6
E
t
ELQX
7
t
EHQZ
1
t
ELQV
11
t
EHICCL
G
4
8
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
活跃
待机
t
GLQV
9
t
GHQZ
数据有效
I
CC
2006年3月
3
文件控制＃ ML0019修订版0.2
