废弃的设备
93LCS56/66
2K / 4K 2.5V微丝
串行EEPROM用软件写保护
特点
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 5
A
待机电流（典型值） ，在3.0V
X16内存组织
- 128x16 （ 93LCS56 ）
- 256×16 （ 93LCS66 ）
软件写入用户定义的内存保护
空间
自定时擦除和写入周期
WRAL前自动ERAL
开/关数据保护电源
工业标准的3线串行I / O
在E / W器件状态信号
连续读取功能
百万东/西次担保
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP / SOIC和14引脚SOIC封装
支持的温度范围
- 商业（ C） ：
0 ° C至+ 70°C
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
框图
V
CC
V
SS
内存
ARRAY
地址
解码器
地址
计数器
数据寄存器
DI
产量
卜FF器
DO
PRE
PE
CS
模式
解码
逻辑
CLK
时钟
发电机
描述
Microchip Technology Inc.的93LCS56 / 66低电压
年龄串行电可擦除的PROM内存
为2K比特/ 4K位的分别能力。一个写保护
寄存器被包括以提供一个用户去音响定义
写保护的内存区域。所有内存位置
大于或等于设置在写入地址
保护寄存器将受到保护，免受任何试图写
或擦除操作。另外，也可以保护
地址写保护注册永久使用
一个只有一次指令（ PRDS ） 。任何试图改变
在其地址寄存器中的数据等于或大于
不是存储在保护寄存器的地址将是
中止。先进的CMOS工艺使该器件
适用于低功率的非易失性存储器的应用程序。
封装类型
SOIC
NC
CS
DIP
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
93LCS56
93LCS66
8
7
6
5
V
CC
PRE
PE
V
SS
CS
CLK
DI
DO
1
2
3
4
93LCS56
93LCS66
SOIC
8
7
6
5
V
CC
PRE
PE
V
SS
CLK
NC
DI
DO
NC
1
2
3
4
5
6
7
93LCS56
93LCS66
14
13
12
11
10
9
8
NC
V
CC
PRE
NC
PE
V
SS
NC
MICROWIRE是美国国家半导体股份有限公司的注册商标。
2004年Microchip的科技公司
DS11181E第1页
